12024-14-5
中文名称
碲化镓
英文名称
GALLIUM TELLURIDE
CAS
12024-14-5
分子式
GaTe
分子量
197.32
MOL 文件
12024-14-5.mol
更新日期
2025/04/02 10:25:57
12024-14-5 结构式
基本信息
中文别名
碲化镓一碲化镓
碲化镓GATE
碲化镓(II)
碲化镓(II), 痕量分析
碲化镓, 99.999% (METALS BASIS)
碲化镓(II), 99.999% (METALS BASIS)
英文别名
GALLIUM TELLURIDEII)GALLIUM TELLURIDE
GALLIUM(II) TELLURIDE
Gallium monotelluride
galliumtelluride(gate)
Gallium(II) telluride lump
Gallium(II) telluride (GaTe)
Gallium(II) telluride 99.999%
GALLIUM TELLURIDE ISO 9001：2015 REACH
Cobalt Silicide (CoSi2) Sputtering Targets
所属类别
无机化工：硫族化合物物理化学性质
熔点824°C
密度5.440
形态单斜晶体
颜色monoclinic crystals, crystalline
水溶解性Insoluble in water.
敏感性湿气敏感
暴露限值ACGIH: TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: IDLH 25 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: IDLH 25 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3
常见问题列表
简介
碲化镓（GaTe）中阳离子空位对晶体管性能的影响机制，并且通过抑制这种作用，获得了一种高性能的光电晶体管器件。GaTe是一个重要的III-VI族半导体层状化合物材料，直接带隙约1.7eV，在光电子器件、辐射探测器及太阳能电池领域极具应用研究价值。然而由于其复杂的单斜晶体结构及晶体的高度各向异性，使其在样品制备及器件加工方面存在一定的困难，目前少有关于GaTe纳米片的光电性能研究。制备
一种二维碲化镓材料的制备方
法，其特点是采用以下步骤：步骤一、采用垂直布里奇曼晶体生长法，将Ga:Te按物质的量比1:1进行配料，制备GaTe单晶体。步骤二、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内，选取大块表面光
滑无褶皱的GaTe体材料，并沿自然解理面将其分离为多块。步骤三、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内，使用思高胶带从表层光亮、损伤较小的GaTe块体材料表面撕离一块厚度约为6-8μm的GaTe薄片。步骤四、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内，将带有GaTe薄片的思高胶带多次粘合分离，直至胶带表面不再光亮，成功附着较为密集的数百纳米厚度的GaTe片层。