37348-16-6
中文名称
溴化氢
英文名称
HYDROBROMIC ACID >33% IN ACETIC ACID
CAS
37348-16-6
分子式
BrH
分子量
80.9119
MOL 文件
37348-16-6.mol
更新日期
2025/05/07 11:57:43
37348-16-6 结构式
基本信息
中文别名
氢溴酸 100ML溴化氢, 33% 乙酸溶液
溴化氢, 33 WT.% 乙酸溶液, 超纯
英文别名
HYDROBROMIC ACID >33% IN ACETIC ACIDAcetic acid, mixt. with hydrobromic acid
Hydrogen bromide [33 wt% solution in glacial acetic acid]
Hydrogen bromide, 33 wt.% solution in acetic acid, extra pure
Hydrogen broMide, pure, 33 wt.% solution in glacial acid, AcroSeal
Hydrogen bromide, 33 wt.% solution in glacial acid, AcroSeal, pure
物理化学性质
密度1.40 g/mL at 20 °C(lit.)
闪点65 °C
水溶解性Miscible with water, alcohol and organic solvents.
暴露限值ACGIH: TWA 10 ppm; STEL 15 ppm
OSHA: TWA 10 ppm(25 mg/m3)
NIOSH: IDLH 50 ppm; TWA 10 ppm(25 mg/m3); STEL 15 ppm(37 mg/m3)
OSHA: TWA 10 ppm(25 mg/m3)
NIOSH: IDLH 50 ppm; TWA 10 ppm(25 mg/m3); STEL 15 ppm(37 mg/m3)
常见问题列表
无机化合物
溴化氢是一种无机化合物，化学式为HBr，无色有刺激性臭味气体。有毒，易溶于水，水溶液称为氢溴酸。易被液化。氢溴酸是强酸，暴露在空气中或在光的作用下，颜色逐渐变深。它具有强还原性，能被空气中的氧及其他氧化剂氧化为溴，露于空气及日光中因溴游离，色渐变暗。溴化氢还具有强酸性，除铂、金和钽等金属外，对其他金属皆能腐蚀，生成金属溴化物。
化学反应
溴化氢在水溶液总和气相中都有强酸性，在水中其Ka = 109：HBr + H2O —→ H3O+ + Br-
HBr(aq) + Fe —→ FeBr2 + H2↑
Mg3N2(s) + 6HBr(g) —→ 3MgBr2 + 2NH3
溴化氢有还原性：
HBr + HBrO —△→ H2O + Br2↑
5HBr + HBrO3 —△→ 3H2O + 3Br2↑
合成方法
(1) 由氢(H2)和溴(Br2)直接化合。(2) 由溴化钠(NaBr)与稀硫酸(H2SO4)作用。
(3) 由三溴化磷(PBr3)水解制得：PBr3 + 3H2O → H3PO3 + 3HBr
应用领域
溴化氢在化工工业中有广泛的应用，主要用于有机合成反应中作为催化剂和试剂。在半导体工艺中，电子级溴化氢被用作清洁剂、蚀刻剂、掺杂剂和氢原子源，以实现半导体器件的制备和加工。其高纯度和稳定性对半导体器件的性能和可靠性具有重要影响。电子级溴化氢是一种用于半导体制造的高纯度溴化氢，具有以下性质和特点：
1、高纯度：电子级溴化氢的纯度要求极高，通常需要去除金属离子、挥发性有机物和微粒等杂质，以确保不会对半导体工艺产生负面影响。
2、低金属离子含量：金属离子对半导体工艺有害，因此电子级溴化氢需要保持极低的金属离子含量，通常在ppb（十亿分之一）或更低的水平。
3、低挥发性有机物含量：挥发性有机物可能污染半导体材料表面，因此电子级溴化氢要求其含量极低，通常在ppb或更低的水平。
4、严格的微粒控制：微粒可能导致半导体器件的缺陷，因此电子级溴化氢需要经过严格的过滤和处理，以确保微粒的数量控制在极低水平。
5、稳定性和可靠性：电子级溴化氢需要保持稳定的化学性质，并且在长期存储和使用过程中不会产生变化，以确保半导体工艺的可靠性和重复性。
二、在半导体工艺中，电子级溴化氢主要用于以下方面：
1、表面清洁：溴化氢可以用于清洗半导体表面，去除氧化物和有机残留物，以准备进行下一步的工艺步骤。
2、蚀刻：溴化氢可用作半导体材料的蚀刻剂，在特定条件下对材料进行选择性蚀刻，用于图案形成和器件制备。
3、掺杂：溴化氢可用于半导体材料的掺杂过程，通过溴化氢对材料的掺杂，可以改变材料的电学性质，例如调节半导体的导电性。
4、氢原子源：溴化氢可以作为氢原子的来源，在半导体工艺中用于氢原子注入，以改变材料的化学性质或修复材料的缺陷。