溴化铋
| 中文名称 | 溴化铋 |
|---|---|
| 中文同义词 | 铋粒;溴化铋;三溴化铋;铋粒Φ2-4;三溴化铋(III);溴化铋(III);三溴化铋(III), 99% (METALS BASIS);溴化铋(III),无水 |
| 英文名称 | Bismuth (III) Bromide |
| 英文同义词 | Tribromobismuthine;Bismuth(Ⅲ)Bromide;Einecs 232-121-1;BisMuth(III) BroMide, anhydrous, 99.999% (Metals basis);Bismuth(III) bromideReagent Grade, ≥ 99% (Metals basis);Bismuth(III) bromideUltra Pure, ≥ 99.995% (Metals basis);Bismuth(III) bromide, Anhydrous;bismuth(ii)bromide |
| CAS号 | 7787-58-8 |
| 分子式 | BiBr3 |
| 分子量 | 448.69 |
| EINECS号 | 232-121-1 |
| 相关类别 | 化工原料;金属粉末;metal halide;Catalysis and Inorganic Chemistry;Chemical Synthesis;Bismuth Salts;BismuthMetal and Ceramic Science;Crystal Grade Inorganics;Metal and Ceramic Science;Salts |
| Mol文件 | 7787-58-8.mol |
| 结构式 |  |
溴化铋 性质
| 熔点 | 218°C |
|---|---|
| 沸点 | 453°C |
| 密度 | 5.7 g/mL at 25 °C(lit.) |
| 闪点 | 453°C |
| 溶解度 | 与H2O反应；溶于二酸、丙酮；不溶于乙醇 |
| 形态 | 粉末 |
| 颜色 | 粘黄色 |
| 水溶解性 | Decomposes in water. |
| 敏感性 | Hygroscopic |
| Merck | 13,1258 |
| 主要应用 | material synthesis precursor perovskite solar cells |
| InChI | InChI=1S/Bi.3BrH/h;3*1H/q+3;;;/p-3 |
| InChIKey | TXKAQZRUJUNDHI-UHFFFAOYSA-K |
| SMILES | [Bi](Br)(Br)Br |
| CAS 数据库 | 7787-58-8(CAS DataBase Reference) |
| EPA化学物质信息 | Bismuthine, tribromo- (7787-58-8) |
三溴化铋（BiBr₃），又称溴化铋，是一种浅黄色结晶化合物，因在多种工业及科研应用中发挥重要作用而备受关注。铋化合物相较于其他重金属化合物毒性较低，因此在医药和先进材料合成等广泛领域具有重要的应用价值。
作为多功能前驱体，三溴化铋广泛用于合成各类含铋化合物。在有机合成中，它可作为温和的路易斯酸催化剂，促进弗里德尔-克拉夫茨酰基化、烷基化及卤化等反应。与传统金属卤化物相比，三溴化铋毒性更低，因而成为绿色化学领域的理想选择。
在材料科学中，BiBr₃被应用于半导体和光电子器件的开发。此外，其在纳米材料与薄膜制备方面的研究不断推进，为光伏技术与光子学领域的发展提供了重要支持。
[2] Saboor, Abdul, Shoaib Khalid, and Anderson Janotti. "Band-gap reduction and band alignments of dilute bismide III--V alloys." arXiv preprint arXiv:2411.19257 (2024).
作为多功能前驱体，三溴化铋广泛用于合成各类含铋化合物。在有机合成中，它可作为温和的路易斯酸催化剂，促进弗里德尔-克拉夫茨酰基化、烷基化及卤化等反应。与传统金属卤化物相比，三溴化铋毒性更低，因而成为绿色化学领域的理想选择。
在材料科学中，BiBr₃被应用于半导体和光电子器件的开发。此外，其在纳米材料与薄膜制备方面的研究不断推进，为光伏技术与光子学领域的发展提供了重要支持。
生产方法
可以由铋和溴单质直接反应得到：将铋粉装入硼硅酸玻璃管中，用电炉加热，往其中通入含溴的氮气(使氮通过浓硫酸干燥后，经过盛有足够量溴的瓶，再通过五氧化二磷干燥管进行干燥)。或使铋粉与溴在蒸馏瓶中蒸馏数日，进行合成。可利用减压蒸馏进行精制。参考文献
[1] Christian, Theresa M., et al. "Bismuth-induced raman modes in GaP1− xBix." Japanese Journal of Applied Physics 55.10 (2016): 108002.[2] Saboor, Abdul, Shoaib Khalid, and Anderson Janotti. "Band-gap reduction and band alignments of dilute bismide III--V alloys." arXiv preprint arXiv:2411.19257 (2024).
安全信息
| 危险品标志 | C |
|---|---|
| 危险类别码 | 34 |
| 安全说明 | 26-36/37/39-45 |
| 危险品运输编号 | UN 3260 8/PG 2 |
| WGK Germany | 3 |
| TSCA | TSCA listed |
| 危险等级 | 8 |
| 包装类别 | III |
| 海关编码 | 2827590000 |
| 存储类别 | 8A - 可燃，腐蚀性物质 |
| 危险性类别 | 严重眼损伤 类别1 皮肤腐蚀 类别1B 特异性靶器官毒性-一次接触，类别3 |
| 提供商 | 语言 |
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英文
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英文
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