NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀

NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品概述：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。

NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时，旋转晶圆片以达到想要的均匀度。

NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品特点：

·         14.5”不锈钢立体离子束腔体

·         16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板

·         离子束中和器

·         氩气MFC

·         6”水冷样品台

·         晶片旋转速度3、10RPM，真空步进电机

·         步进电机控制晶圆片倾斜

·         手动上下载晶圆片

·         典型刻蚀速率：铜200 ?/min, 硅：500 ?/min

·         6”范围内，刻蚀均匀度+/-3%

·         极限真空5x10-7Torr，20分钟内可达到10-6Torr级别（配套500 l/s涡轮分子泵）

·         配套1000 l/s涡轮分子泵，极限真空可达8x10-8Torr

·         磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化

·         基于LabView软件的PC计算机全自动控制

·         菜单驱动，4级密码访问保护

·         完整的安全联锁