COA：99.5%纯度 单一金杂≤20ppb
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离子污染，满足半导体行业需求，确保高纯度化学品处
理，保障工艺稳定性和产品良率。
相对小试设备而言，中试ECP总包对金属离子污染、连锁
控制要求更高。采用sus304或sus316等金属材质，容易
渗漏Fe、Gr、Ni等金属，需严格联锁以确保99.9%以上物
质的纯化工艺窗口。我们可根据需求在工业分子精馏基础
上定制半导体中试设备，满足行业最领先要求。
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陈启福