化学放大光刻胶 PAG 核心组分
曝光后释放重氮基团,分解生成磺酸(如环己基磺酸),该酸可催化光刻胶中树脂的脱保护反应(如叔丁氧羰基脱保护),引发涂层溶解性急剧变化,实现图形转移。
适配 DUV(248 nm KrF、193 nm ArF)光刻工艺,用于半导体芯片制造、先进封装、显示面板与 PCB 的高精度图形化,可提升光刻胶的分辨率、对比度与工艺窗口。常与含酸敏感保护基的树脂(如聚对羟基苯乙烯衍生物)、交联剂等复配使用。
有机合成反应试剂
可作为高效的甲基化试剂,用于羧酸、酚类等化合物的甲基化,反应条件温和、副产物少,适合贵重或敏感底物的修饰;也能参与环加成、重排等反应,合成特定环状或杂环化合物。
底部抗反射涂层(BARC)光敏组分
用于制备光刻用底部抗反射涂层,曝光产酸可辅助涂层交联或分解,降低光刻过程中的反射干扰,提升图形质量。
感光材料合成中间体
可用于制备其他磺酰基重氮甲烷类 PAG,或作为活性单元引入感光树脂、光刻胶添加剂,调控体系光敏性与稳定性。
陕西缔都医药有限责任公司
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