高效配体交换前驱体
两个乙腈 (CH₃CN) 配体为弱配位、易离去基团,在温和条件下(室温 / 加热 / 光照)即可被膦、烯烃、炔烃、异腈、卡宾等配体取代,精准合成各类 W (0) 配合物,是构建有机钨分子库的关键起始物。
示例:与双齿膦配体反应,生成稳定的 W (CO)₄(膦)₂配合物,用于催化与材料研究。
钨卡宾 / 卡拜络合物合成
与重氮化合物、炔烃等反应,生成高活性的钨卡宾(W=CR₂)或卡拜(W≡CR)中间体,是烯烃复分解、环加成等反应的核心催化剂前体。
多核钨簇合物构建
作为 W (0) 单元,通过羰基桥联或配体交联,合成双核、三核钨簇,用于金属 - 金属键研究与多相催化模型。
烯烃复分解与开环聚合(ROMP)
解离乙腈后生成的活性 W (0) 中心,可高效催化降冰片烯、环辛烯等环烯烃的开环易位聚合,制备高顺式、高分子量聚烯烃,用于特种橡胶与功能材料。
炔烃聚合与环化
催化端炔 / 内炔的聚合、环三聚反应,合成聚炔烃、苯衍生物等共轭体系,应用于光电材料与有机半导体。
羰基化与 C-C 键构建
参与烯烃 / 炔烃的氢甲酰化、氢羧基化反应,在温和条件下引入羰基,合成醛、酯、羧酸等精细化学品,选择性优于传统钨催化剂。
还原与偶联反应
作为 W (0) 还原剂,参与卤代烃、羰基化合物的还原偶联,构建 C-C 键,用于药物中间体与天然产物合成。
薄膜沉积(CVD/ALD)
作为液态 / 易溶钨源,热分解温度适中(150–300℃),可制备高纯钨膜、碳化钨(WC)膜、氮化钨(WNₓ)膜,用于半导体接触层、耐磨涂层、扩散阻挡层,成膜均匀性与纯度优于六羰基钨。
纳米钨材料制备
溶液中热解或光解,生成纳米钨颗粒、钨基合金纳米晶,用于硬质合金、催化剂载体、电磁屏蔽材料。
表面改性
对金属、陶瓷、高分子表面进行钨涂层改性,提升耐磨、耐腐蚀、导电 / 导热性能,应用于航空航天、机械制造。
陕西缔都医药有限责任公司
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