株洲奥博达新材料 5N(99.999%)无水氯化铟/氯化镓,适配半导体、固态电池高端制造,品质稳定,交货可控。
5N无水氯化铟(InCl₃), 纯度达到99.999%(metals basis),超低杂质含量可避免过渡金属离子、碱金属杂质对电解质离子传输通道的阻塞,减少界面副反应的发生。
5N无水氯化镓(GaCl₃),严格遵循半导体材料生产标准,金属杂质总含量≤10ppm,水含量≤50ppm,满足MOCVD工艺对原料的严苛要求,产品兼具优异的化学稳定性与导电性能。
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奥博达氯化铟