碲化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,该材料为p型宽禁带半导体,室温下禁带宽度为2.26eV,77K时增至2.38eV 。物理特性涵盖近红外电光效应、光导及荧光性能,化学性质表现为与稀酸反应释放剧毒碲化氢气体。应用领域包括红外光学元件、THz辐射源与探测器,以及绿光发射器件、太阳能电池等光电器件。
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