产品中文名称:氧化镓、三氧化二镓、氧化镓 (III)、Ga₂O₃粉末、高纯氧化镓、纳米氧化镓
产品英文名称:Gallium Oxide、Gallium (III) Oxide、Ga₂O₃
生产厂家:雨木(宁波)新材料有限公司
核心关键词:氧化镓、Ga₂O₃、三氧化二镓、高纯 Ga₂O₃、纳米 Ga₂O₃、宁波氧化镓厂家、雨木新材料、半导体级 Ga₂O₃、光学级 Ga₂O₃、溅射靶材用 Ga₂O₃
CAS 号:12024-21-4
EINECS 号:234-691-7
分子式:Ga₂O₃
分子量:187.44
外观性状:白色至类白色结晶粉末,纯度越高色泽越纯净;无臭、无味,粉末细腻,流动性良好,无明显硬团聚
晶型:存在多种晶型,常温下以β-Ga₂O₃(单斜晶系) 为主,为最稳定实用相;高温下可转化为 α、γ、δ、ε 相;结晶度高,晶格结构稳定
密度:5.88-6.44 g/cm³(25℃)
熔点:1740-1900℃
沸点:约 3500℃
溶解性:不溶于水,微溶于热酸及碱,可溶于浓酸、熔融碱
禁带宽度:4.7-4.9 eV(超宽禁带半导体)
折射率:1.92(可见光区)
化学稳定性:常温常压稳定,耐高温、耐腐蚀、耐辐射,化学惰性强
介电性能:介电常数高,绝缘性能优良,适配高 k 栅介质应用
纯度等级:3N(99.9%)、3N5(99.99%)、4N(99.99%)、4N5(99.9995%)、5N(99.999%)
杂质控制:
3N-4N:金属杂质总量≤100 ppm
5N:金属杂质总量≤10 ppm
重点控制 Fe、Al、Ca、Mg、Si、Na、K 等关键杂质
核心杂质:Fe≤10 ppm、Al≤5 ppm、Ca≤5 ppm、Si≤10 ppm(5N 级)
纳米级:10 nm、20 nm、30 nm、50 nm、100 nm
亚微米级:0.1 μm、0.3 μm、0.5 μm、1 μm
微米级:1 μm、3 μm、5 μm、10 μm
常规粉体:-200 目、-325 目、-400 目
比表面积:10-50 m²/g(可定制)
超宽禁带半导体:禁带宽度 4.7-4.9 eV,击穿电场强度约 8 MV/cm,为硅的 20 倍,适配高压功率电子器件
超高纯度:深度提纯,杂质极低,保障器件稳定性与良率,适配半导体高端制造
光电性能优良:高折射率、宽透光范围(紫外至近红外),适配紫外探测器、光学窗口、抗反射膜
热稳定性优异:熔点高、热膨胀系数小,耐高温、耐辐照,适用于极端工况
化学稳定性强:耐酸碱腐蚀,长期使用性能稳定
加工兼容性好:适配磁控溅射、电子束蒸发、溶胶 - 凝胶、喷涂等多种工艺
半导体电子:先进制程晶体管栅介质、高 k 金属栅、DRAM 存储器件、MOSFET 绝缘层、高压功率器件
光电子器件:紫外探测器、紫外线滤光片、光电探测器、光通信器件、红外窗口
溅射靶材:平面靶、旋转靶原料,用于半导体、显示、光学领域精密镀膜
新能源电力:新能源汽车功率模块、光伏逆变器、高压输配电设备
功能陶瓷:高性能陶瓷添加剂、耐磨耐高温陶瓷组件、特种陶瓷原料
其他领域:气敏传感器、催化剂载体、铟镓基化合物制备、航空航天热防护材料
执行YS/T 741-2010《氧化镓》 有色金属行业标准,规范产品纯度、杂质、粒度等技术要求
杂质检测执行YS/T 742-2010《氧化镓化学分析方法 杂质元素的测定 电感耦合等离子体质谱法》
适配半导体、光学、新能源等行业高端应用规范,满足 GB/T 42272 等相关标准要求
原料精选:采用高纯度金属镓 / 镓盐为原料,源头严控杂质,保障基础品质
工艺先进:高纯精炼、高温煅烧、纳米合成、精密分级、气氛烧结全流程控制,确保产品一致性
定制灵活:可定制纯度、粒度、晶型、形貌,满足不同行业、不同场景精准需求
品控严格:每批次检测纯度、粒度、杂质含量、比表面积、晶型,提供 COA 质检报告,品质可追溯
产能稳定:规模化生产,现货充足,交货及时,配备专业技术支持
小包装:1kg / 袋、5kg / 袋(铝箔袋真空密封,防潮防氧化)
中包装:10kg / 箱、25kg / 箱(纸箱 + PE 内袋,防破损防潮)
大包装:25kg / 桶、50kg / 桶(纸桶 / 铁桶,双层 PE 内袋)
定制包装:可根据客户需求定制特殊包装规格与标识
储存:密封置于阴凉、干燥、通风库房,防潮、防暴晒、防酸碱气体,避免受潮结块
运输:按普通货物运输,防雨淋、防潮、防包装破损;避免与强酸、氧化剂混运
公司名称:雨木(宁波)新材料有限公司
公司地址:浙江省宁波市余姚市凤山街道同光村银翔路 5 号
联系经理:房经理
联系电话:13116661121
雨木(宁波)新材料有限公司
联系商家时请提及chemicalbook,有助于交易顺利完成!
雨木新材料