12030-24-9
中文名称
硫酸铟
英文名称
INDIUM(III) SULFIDE
CAS
12030-24-9
EINECS 编号
234-742-3
分子式
In2S3
MDL 编号
MFCD00011061
分子量
325.83
MOL 文件
12030-24-9.mol
更新日期
2026/01/12 16:13:36
12030-24-9 结构式
基本信息
中文别名
硫化铟硫化铟, 99.98% (METALS BASIS)
硫化铟, 99.997% (METALS BASIS)
英文别名
INDIUM(III) SULFIDEINDIUM(III) SULFIDE RED
INDIUM SESQUISULFIDE
INDIUM SULFIDE
indiumsulfide(in2s3)
diindium trisulphide
INDIUM(III) SULFIDE, 99.99%
INDIUM SULFIDE, 99.999%
Indium(III)sulfide(99.999%-In)PURATREM
Indium(III) sulfide, 99.997% (metals basis)
Indium(III) sulfide, 99.98% (metals basis)
Indium (III) sulfide, 99.995% (metals basis)
Indium(III) sulfide, 99.999% (metals basis)
所属类别
无机化工：金属硫化物及硫酸盐物理化学性质
熔点1050°C
密度4,45 g/cm3
形态粉末
比重4.45
颜色橙红色
水溶解性Insoluble in water.
敏感性湿气敏感
晶系square
空间群I41/amd
晶格常数
| a/nm | b/nm | c/nm | α/o | β/o | γ/o | V/nm3 |
| 0.7623 | 0.7623 | 3.236 | 90 | 90 | 90 | 1.8804 |
暴露限值ACGIH: TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: TWA 0.1 mg/m3
InChIInChI=1S/2In.3S
InChIKeyZOMNDSJRWSNDFL-UHFFFAOYSA-N
SMILESS([In]=S)[In]=S
EPA化学物质信息Indium sulfide (In2S3) (12030-24-9)
安全数据
警示词警告
危险品标志Xn
危险类别码R20/21/22-R36/37/38
安全说明S26-S36
危险品运输编号UN2813
WGK Germany3
TSCAYes
危险等级4.3
包装类别III
存储类别13 - Non Combustible Solids
危险性类别Acute Tox. 4 Dermal
Acute Tox. 4 Inhalation
Acute Tox. 4 Oral
Eye Irrit. 2
Skin Irrit. 2
STOT SE 3
Acute Tox. 4 Inhalation
Acute Tox. 4 Oral
Eye Irrit. 2
Skin Irrit. 2
STOT SE 3
应用领域
用途1
硫化铟用作材料科学。用于半导体材料，原子吸收光谱测定。制造低熔点合金，轴承合金，颜色玻璃。可作电子工业材料、半导体掺杂源。参考质量标准
| 检测项目 | 结果 |
|---|---|
| 外观 (颜色) | 橘红色 |
| 外观 (形态) | 粉末 |
| ICP主量分析 | 确认铟和硫成分 |
| 纯度 | 基于痕量金属分析的99.99% |
| 痕量金属分析 | 80.9 ppm |
| 砷 (As) | 12.0 ppm |
| 钡 (Ba) | 0.1 ppm |
| 镉 (Cd) | 0.5 ppm |
| 铁 (Fe) | 4.7 ppm |
| 钾 (K) | 31.1 ppm |
| 锂 (Li) | 5.3 ppm |
| 铅 (Pb) | 8.1 ppm |
| 锡 (Sn) | 8.4 ppm |
| 钨 (W) | 8.8 ppm |
| 锌 (Zn) | 1.9 ppm |
制备方法
方法1
将装有三氧化二铟的刚玉小盘放入石英管中，在通入经干冰液化提纯的硫化氢的条件下，将反应管加热至500℃保持5h，再升温至700℃保持8h。产物即为红色三硫化二铟，熔融后变为有光泽的黑色产物。该产物为β-In2S3的高温变型产物。而低温变型产物α-In2S3可由下法制取：即往溶于乙酸乙酸盐缓冲水溶液的三价铟盐溶液中，通入硫化氢，将生成的沉淀于100℃以下的温度下，在P2O5上进行真空干燥即得。但是难以制得纯品。
常见问题列表
半导体材料
硫化铟是一种具有极高潜在利用价值的半导体材料，可作为CIGS薄膜太阳能电池的缓冲层材料，并有望作为Cds缓冲层的替代材料，在光伏与光电器件上有很好的应用前景。硫化铟作为低危害性缓冲材料，具有宽带隙（2.2 eV）和易合金化条件等特性，可作为纯红色 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 量子点的壳层候选材料。在常温常压下比较稳定，属于立方晶系，具有四面体和八面体的空间结构，并存在高密度的In空位。 一般存在α、β、r 3种相，常温下稳定的为β 相。理化性质
硫化铟又称三硫化二铟，铟的硫化物之一，红色立方晶体或黄色片状晶体。化学式为In2S3，相对分子质量325.83。相对密度4.90。熔点1050℃。真空850℃升华。非挥发性。不溶于水。不水解。溶于盐酸、硝酸、硫化钠溶液，具有较大的负电阻系数。可在热敏电阻，整流器，光导材料等方面应用。
分子结构
在常温常压下比较稳定，硫化铟属于立方晶系，具有四面体和八面体的空间结构，并存在高密度的In空位。 一般存在α、β、r 3种相，常温下稳定的为β 相。
硫化铟的三种不同的晶型,即α-In2S3(缺陷立方)、β-In2S3(缺陷尖晶石,以立方或四方的结构形式存在)和γ-In2S3(层状六方)。β-In2S3的带隙约在2.0-2.3eV左右,是一种很有应用潜力的光电材料。
水中溶解度(g/100ml)
每100毫升水中的溶解克数:2.867×10-14/20℃
参考文献
文献 1
[1] JUN DI. General Synthesis of Metal Indium Sulfide Atomic Layers for Photocatalysis[J]. Small, 2024, 20 38. DOI:10.1002/smll.202402808. [2] YIZHE DONG. Zinc Chloride-Treated Indium Sulfide as Buffer Layer for Cd-Free Antimony Selenide Solar Cells[J]. Solar RRL, 2023, 7 18. DOI:10.1002/solr.202300440.
[3] S. W. HAGGATA. Synthesis and Characterization of Some Mixed Alkyl Thiocarbamates of Gallium and Indium, Precursors for III/VI Materials: The X-ray Single-Crystal Structures of Dimethyl- and Diethylindium Diethyldithiocarbamate[J]. Chemistry of Materials, 1995, 7 4: 716-724. DOI:10.1021/cm00052a017.
[4] 马梅兰.硫化铟纳米粒子制备及性质研究[J].化工管理,2024,(16):53-55.DOI:10.19900/j.cnki.ISSN1008-4800.2024.16.015.
[5] 王大全主编.精细化工辞典.北京:化学工业出版社.1998
硫化铟价格(试剂级)
| 报价日期 | 产品编号 | 产品名称 | CAS号 | 包装 | 价格 |
| 2025/09/19 | 045563 | 硫化铟(III), 99.999% (metals basis) Indium(III) sulfide, 99.999% (metals basis) | 12030-24-9 | 2g | 759元 |
| 2025/09/19 | 044836 | 硫化铟(III), 99.995% (metals basis) Indium(III) sulfide, 99.995% (metals basis), Thermo Scientific Chemicals | 12030-24-9 | 2g | 688元 |
| 2025/09/19 | 044835 | 硫化铟(III), 99.98% (metals basis) Indium(III) sulfide, 99.98% (metals basis), Thermo Scientific Chemicals | 12030-24-9 | 50g | 7146元 |