氮化铝(AlN)是高性能共价键陶瓷,核心特点为高导热 + 电绝缘,热导率远高于氧化铝,低热膨胀系数,与硅芯片匹配度好,耐高温耐腐蚀。电子行业用于制备半导体功率器件、IGBT、LED 光模块散热基板;作为导热填料添加到导热硅胶、导热环氧树脂、导热垫片中,提升高分子材料散热能力。粉末冶金烧结制备耐高温坩埚、金属熔炼舟皿,耐熔融铝等金属侵蚀。也用于高频微波器件、紫外光电器件、半导体薄膜。广泛用于新能源、5G 通信、电力电子行业,同时是高校材料科研、热界面材料研发常用粉体。
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