碲化锌(ZnTe)是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带直接带隙半导体，具有立方闪锌矿、六方及高压下的三方、正交晶型。在光电子学领域，ZnTe晶体因优异的电光效应成为太赫兹技术的重要材料，高压调控可实现半导体-金属相变，为新型太赫兹器件提供可能；在太阳能电池应用中，ZnTe作为掺杂层或异质结结构可提升器件性能。
基本性质
碲化锌(ZnTe)是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有多种晶体结构。常压下主要存在立方闪锌矿结构和六方晶型，其中立方闪锌矿结构从熔体中产出，六方晶型从气相中析出。ZnTe是一种p型宽禁带半导体，在高压环境下，导电特性会发生显著变化：三方相仍保持半导体特性，但正交相转变为金属导电特性，表现为高电阻率的空穴导电；其对波长为0.65 μm的光有透过性，对1-8 μm的光折射率为2.7；具有近红外电光效应、光导及荧光性能，使其在红外光学元件和光电器件领域具有广泛应用[1,2]。
在光电子学领域的应用
1 太赫兹(THz)技术应用
ZnTe晶体因其优异的电光效应，成为太赫兹技术领域中常用的太赫兹发射和探测材料[2,3]。其具有高响应均匀性和低边缘效应，适合大尺寸成像应用。通过优化生长工艺，如引入坩埚旋转加速技术(ACRT)，可以显著改善ZnTe晶体的质量，减少晶体内Te夹杂相的数量并减小其尺寸，从而提高太赫兹探测性能。
2 太阳能电池应用
ZnTe在太阳能电池领域主要作为掺杂层或异质结结构材料，通过掺杂ZnTe的凝胶电解质，可将染料敏化太阳能电池(DSSC)的光电转换效率大幅度提升；在CdTe太阳能电池中，ZnTe可作为背接触层材料，优化器件性能[4]。
3 其他光电子学应用
ZnTe晶体对1-8 μm的光具有高透射率和稳定的光学性能，是红外窗口、透镜和光学元件的理想材料；在500 nm波长下表现出极高的光敏性，适合高灵敏度光电探测器的制备[3]。
参考文献
[1]罗淼思;马子为;张宗良;王志坚;蒋良兴;贾明;刘芳洋.光电化学沉积碲化锌薄膜[J].Journal of Central South University,2022,29(9):2899-2910.
[2]陆液;王仍;杜云辰;焦翠灵;李向阳.天宫二号碲化锌晶体生长[J].空间科学学报,2018,38(2):234-238.
[3]刘柱;王友义;潘志强;王新刚;吴春艳.ZnTe:Ga/Si绿光光电探测器[J].合肥工业大学学报（自然科学版）,2017,40(10):1365-1369.
[4]陈红霞;庄国策.钒掺杂碲化锌团簇结构和磁性质[J].四川大学学报（自然科学版）,2018,55(3):537-542.