用途:用于非光敏图形化工艺,需通过光刻胶掩膜+干法刻蚀(如ICP、RIE)实现图形转移。主要用于圆片级键合、MEMS封装、微结构隔离层、高频器件介电层等。
特性:介电常数低,平坦度高,热稳定性和化学稳定性高。
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